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三星SSD 840 EVO 写入性能暴涨 [复制链接]

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840 EVO是三星面向入门级市场的新款固态硬盘,除了改用新的主控和闪存,低容量型号的写入速度也得到了极大的提升,120GB的持续写入从可怜的130MB/s来到足够高的410MB/s。

同样是TLC NAND闪存颗粒,提升的秘密在哪里呢?据三星介绍,840 EVO系列加入了一个高性能缓冲“TurboWrite”,可以在空闲的时候将其中的数据传给硬盘。

SLC、MLC、TLC分别是单层、双层和三层闪存单元,TLC的写入是最耗时的,所以三星就加了这么个缓冲,本质还是TLC,但工作在SLC模式下。这就相当于把TLC当作SLC来用,性能自然可以大大提高,但仅仅是外部与缓冲器之间而已,缓冲器与硬盘之间还是老样子。

TurboWrite缓冲器的容量依型号而不同,比如1TB里划分出来了36GB,但是按照TLC、SLC的对应关系,实际能缓冲的数据量最多为12GB。

当然,1TB型号的写入性能本来就不错,这个缓冲的影响并不大,关键在低容量型号上。120/250GB里都划出来了9GB TLC,等同于3GB SLC。

从理论上讲,如果这3GB的缓冲区写满了,继续写入的话性能就会跌到普通水平,但这个要到实际测试中才能验证了。

再来说说主控,830系列是第三代MCX,840/840 Pro系列是第四代MDX,现在到了第五代MEX,内部仍是三个ARM Cortex-R架构处理器核心,但是运行频率从300MHz提升到400MHz。正是这一变化,再加上固件的优化,带动了低队列深度随机写入性能的提升,从7900来到10000 IOPS。

840 EVO系列还引入了一个新的特性“动态散热保护”(Dynamic Thermal Guard),可让固态硬盘工作在额定温度范围之外,比如说超过70℃。

看上去有点像Intel/AMD处理器、NVIDIA显卡的动态加速功能,允许短时间高温操作,然后自动降温以保护数据和硬盘,但具体细节还没有公布。

后续是为了应对笔记本中经常超过80℃情况。

三星的840 Pro、840系列固态硬盘已经分别成为高低端市场的代表性产品,获得广泛青睐和采纳。在韩国举行的2013年三星固态硬盘全球峰会上,三星又顺势推出了最新版的“840 EVO”,并提出了“人人固态硬盘”(SSDs For Everyone)的口号。

840 EVO将提供120GB、250GB、500GB、750GB、1TB等五种容量,闪存颗粒是最新的1xnm Toggle 2.0 TLC,同时搭配256MB-1GB不等量的LPDDR2缓存。

相比之下840系列用的是21nm Toggle 2.0 TLC,最大容量500GB;840 Pro系列则是21nm Toggle MLC,最大容量512GB,缓存最多512MB。

主控制器也升级成了第五代MEX,取代之前的第四代MDX,当然也是三星自家开发的。

840 EVO的具体读写性能如下:


除了120GB款的写入性能相对较低之外,其它还是比较均衡的,而对比840、840 Pro系列,以250/256GB为例的话可以看到持续性能完全相同,随机性能稍微高于840但大大低于840 Pro,同时三年质保期限也和840相同。

这就充分显示了840 EVO系列的定位:取代840系列,成为新的低端入门级产品。这也和“人人固态硬盘”的口号相符。EVO在这里就是evolution进化的意思。

事实上,840 EVO系列除了更新主控和闪存,性能上最大的变化是提升低容量型号的写入速度。为此,三星引入了“TurboWrite”技术(稍后详解),120GB型号的持续写入速度因此从区区130MB/s提升到可接受的410MB/s,不过随机写入只从32K IOPS来到35K IOPS。


840 EVO、840、840 Pro 250/256GB型号规格对比


840、840 EVO读写性能对比


具体价格还没有公布,但相信会和840系列差不多。

此外,三星还展示了一些企业级固态硬盘产品,尤其是“XS1715”,是所谓的NVMe(非易失性记忆特快)固态硬盘,同时也是第一款采用SFF-8639接口、PCI-E 3.0总线的2.5寸固态硬盘,容量400GB、800GB、1.6TB,最大持续速度3GB/s,最大随机速度740K IOPS。
延伸阅读:

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